熱原子層沉積技術，面積可達 37 平方厘米

大尺寸臺式熱原子層沉積系統(tǒng)

· 適用于37平方厘米平板的鋁制腔體（第二代類型)

· 適用于8片六英寸晶圓或4片八英寸晶圓，且具有很好的均勻性(其他晶圓尺寸可以定制)

· 4端口可加熱前軀體管路(可定制)

· 采用內置高功率線圈加熱器進行腔室加熱，最高溫度可達275°C

· 集直接控制與遠程筆記本控制功能于一體的 PLC/人機界面系統(tǒng)

· 采用帶MFC的快速響應情性氣體吹掃流量控制裝置，集成腔室截止閥能適用于高曝光（靜態(tài)）生長模式選項

· 所有硬件和軟件符合Semi-S2和NFPA-79指南

· 符合Semi S2標準

· 附加慢抽真空選項

· 可選的前驅體溫度監(jiān)測，具有實時反饋和脈沖周期控制功能

· 可選帶液晶顯示屏的可燃氣體罐進行重量追蹤溯源

ALD 設備的工作原理

 原子層沉積(ALD)系統(tǒng)由幾個核心組件構成:前驅體源及其反應物閥門、帶有溫度控制平臺(或夾具)的反應腔、惰性氣體以及真空系統(tǒng)(或吹掃系統(tǒng))。該過程會交替進行前驅體和反應物的引入，每次只引入一種，其間會有一個吹掃步驟。這樣可以防止前驅體在氣相中發(fā)生反應，從而確保僅進行表面特定的反應。其結果是每個循環(huán)中形成一層單分子沉積，從而在原子尺度上實現了對薄膜生長的控制。該反應具有自限性，這意味著一旦前驅體與表面發(fā)生反應并填充了可用的活性位點(對于氧化物、羥基等)，反應就無法再繼續(xù)進行。

 安瑞克技術公司開發(fā)的臺式原子層沉積系統(tǒng)操作簡便、易于維護，具備優(yōu)良的散熱管理功能、可定制的等離子體源以及軟件驅動的自動化功能，能夠支持熱增強型和等離子體增強型原子層沉積工藝。這些工具具有可擴展性--從與手套箱兼容的實驗臺設備到完整的 12英寸晶圓系統(tǒng)--并且經過精心設計，以實現最高的工藝穩(wěn)定性、易用性，并能融入各種實驗室環(huán)境。

應用領域

安瑞克技術公司ALD 技術是下一代半導體、儲能設備、光電子器件以及生物相容性材料發(fā)展的重要基礎。其能夠對納米結構進行均勻覆蓋的特性使其在以下領域中至關重要:

· 用于柵極介電層和阻擋層的微電子學及微機電系統(tǒng)技術

· 用于電極和電解質涂層的固態(tài)電池和超級電容器

· 光柵、透鏡和光子結構上的光學涂層

· 催化作用與燃料電池的開發(fā)，其中原子層沉積技術能夠實現可控的表面改性

· 需要具有耐腐蝕性且生物惰性的薄膜的生物醫(yī)學設備

· 易降解材料的表面鈍化與封裝處理

隨著該行業(yè)朝著更小、更快、更高效的設備方向發(fā)展，原子層沉積技術的重要性也與日俱增。

客戶案例

*100多家用戶，多家重復購買的用戶：

? 哈佛大學

? 赫爾辛基大學（Professor Mikko Ritala and Matti Putkonen）

? 泛林集團 (LAM) （6臺以上）

? 牛津大學（2臺以上， Prof Sebastian Bonilla）

? 國立材料科學研究所(日本，多臺)

? 東京大學(多臺)

? 早稻田大學(多臺)

? 西北大學(美國)

? 劍橋大學(英國)

? 萊斯大學

? 英屬哥倫比亞大學(加拿大)

? ENS-Paris(法國、高等師范學院)

? 北京量子研究院

? 北京大學

? 布里斯托大學（英國）

? 謝菲爾德大學等等

重復購買客戶的具體應用

1.  早稻田大學 (Waseda University) (日本東京) - 傳感器、表面改性、納米壓印光刻、*通孔制造 (AIST) – 日本茨城縣

2.  早稻田大學 (Waseda University) (日本東京) – 系統(tǒng) #2；類似應用。日本神奈川縣橫濱國立大學 (Yokohama National University)

3. 國立材料科學研究所 (NIMS) #1 (日本茨城縣) - 表面和薄膜中的聲子；原子尺度低維等離激元學；納米材料中的自旋軌道分裂

4. 國立材料科學研究所 (NIMS) #2 (日本茨城縣) - 碳納米管中的自旋相關輸運；納米間隙制造和分子輸運；石墨烯中的帶隙工程；有機晶體管

5. 私人公司 (Private Company) (美國俄勒岡州波特蘭) - TEM 樣品制備；HfO2, Al2O3, Ta2O5

6. Precision TEM (美國加利福尼亞州圣克拉拉) - TEM 樣品制備；HfO2, Al2O3

7. 私人公司 TK (Private Company TK) (日本宮城縣) - TEM 樣品制備

8. 私人公司 (Private Company) (美國俄勒岡州波特蘭) - TEM 樣品制備；HfO2, Al2O3, Ta2O5

9. 東京大學 (University of Tokyo) (日本) – * ALD 工藝

10. 東京大學 (University of Tokyo) – 日本東京 – Dr. Onaya

11. 泛林集團 (LAM Research) – 美國俄勒岡州圖瓦拉丁 (Tualatin)

12. 泛林集團 (LAM) 系統(tǒng) #2 – 美國俄勒岡州圖瓦拉丁

13. 泛林集團 (LAM) 系統(tǒng) #3 – 美國俄勒岡州圖瓦拉丁

14. 牛津大學 (University of Oxford) – 英國牛津 - Prof Sebastian Bonilla

15. 德島大學 (Tokushima University) (日本)

16. 赫爾辛基大學 (University of Helsinki) (芬蘭) Professor Mikko Ritala and Matti Putkonen

17. 應用材料公司 (AMAT - Applied Materials) – 美國

18. 牛津大學 (University of Oxford) (英國牛津)